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SUD50P06-15L
Vishay Siliconix
P-Channel 60 V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
0.015 at V GS = - 10 V
- 60
0.020 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
- 50 d
- 50
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
RoHS
COMPLIANT
S
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
Top View
Ordering Information: SUD50P06-15L-E3 (Lead-(Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 60
± 20
Unit
V
Repetitive Avalanche Energy
136
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
a
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 125 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I AR
E AR
P D
T J , T stg
- 50 d
- 39
- 80
- 50
125
c
3 b, c
- 55 to 175
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient b
Junction-to-Case
t ? 10 s
Steady State
R thJA
R thJC
15
40
0.82
18
50
1.1
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ? 1 %.
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. See SOA curve for voltage derating.
d. Package limited.
Document Number: 72250
S10-2545-Rev. C, 08-Nov-10
www.vishay.com
1
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